КТ306ГМ
Транзисторы КТ306ГМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ) и переключающих устройствах (КТ306АМ, КТ306БМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 306А, 306Б, 306В, 306Г, 306Д.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: СБ0.336.028ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ306ГМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
Транзисторы КТ306ГМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ306ВМ, КТ306ГМ, КТ306ДМ) и переключающих устройствах (КТ306АМ, КТ306БМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается в сокращенном виде: 306А, 306Б, 306В, 306Г, 306Д.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: СБ0.336.028ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ306ГМ:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом
