2Т9111А
Транзистор 2Т9111А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...80 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-19-2.
Технические условия: аА0.339.542 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9111А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 80 МГц
Транзистор 2Т9111А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...80 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускается в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-19-2.
Технические условия: аА0.339.542 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9111А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 80 МГц