2Т942Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилит елях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Транзисторы 2Т942А, 2Т942Б, КТ942В выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Группа прибора указывается на корпусе в виде буквы: 2Т942А - А, 2Т942Б - Б, КТ942В - В и красной точки.
Транзисторы 2Т942А-5, 2Т942Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0005 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: аА0.339.098ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т942Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 22 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1950 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3,5 пс
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилит елях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Транзисторы 2Т942А, 2Т942Б, КТ942В выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Группа прибора указывается на корпусе в виде буквы: 2Т942А - А, 2Т942Б - Б, КТ942В - В и красной точки.
Транзисторы 2Т942А-5, 2Т942Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлокерамическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0005 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: аА0.339.098ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т942Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 22 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1950 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3,5 пс
