2Т842Б
Транзисторы 2Т842Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 2 г.
Тип корпуса транзистора 2Т842А, 2Т842Б: КТ-9 (ТО-3).
Тип корпуса транзистора 2Т842А1, 2Т842Б1: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.339.319 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т842Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,36 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 800 нс
Транзисторы 2Т842Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Транзисторы 2Т842А, 2Т842Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзистор 2Т842А1, 2Т842Б1 выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, в пластмассовом корпусе не более 2 г.
Тип корпуса транзистора 2Т842А, 2Т842Б: КТ-9 (ТО-3).
Тип корпуса транзистора 2Т842А1, 2Т842Б1: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.339.319 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т842Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (200В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,36 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 800 нс
