ГТ402Г
Транзисторы ГТ402Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами в двух вариантах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.

Основные технические характеристики транзистора ГТ402Г:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 400 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В при 0,2 кОм;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мкА;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 60...150