2Т908А-2
Транзисторы 2Т908А-2 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Предназначены для работы в ключевых схемах аппаратуры специального назначения.
Транзистор соответствует техническим условиям аА0.339.480 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т908А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2600 нс
Транзисторы 2Т908А-2 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Предназначены для работы в ключевых схемах аппаратуры специального назначения.
Транзистор соответствует техническим условиям аА0.339.480 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т908А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8... 60;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2600 нс
