2Т9146А
Транзисторы 2Т9146А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n генераторные.
Транзисторы предназначены для применения в импульсных широкополосных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,45... 1,55 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 45 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Транзисторы содержат согласующие цепи по выходу и входу.
Тип прибора указы вается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Тип корпуса: КТ-62.
Технические условия: АЕЯР.432150.096 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9146А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 350 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мА (50В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 1,55 ГГц
Транзисторы 2Т9146А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n генераторные.
Транзисторы предназначены для применения в импульсных широкополосных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,45... 1,55 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 45 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Транзисторы содержат согласующие цепи по выходу и входу.
Тип прибора указы вается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Тип корпуса: КТ-62.
Технические условия: АЕЯР.432150.096 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9146А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 350 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мА (50В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 1,55 ГГц