2Т831В-1
Транзисторы 2Т831В-1 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях.
Транзисторы 2Т831В-1, 2Т831Г-1 бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзисторов:  не более 0,03 г.
Технические условия: аА0.339.407ТУ.