2Т938А-2
Транзисторы 2Т938А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в металлокерамическом держателе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Технические условия: аА0.339.106 ТУ/Д2.
Основные технические характеристики транзистора 2Т938А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 1,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 2000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 28 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,18 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2 пс
Транзисторы 2Т938А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 5 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания до 20 В в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в металлокерамическом держателе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Технические условия: аА0.339.106 ТУ/Д2.
Основные технические характеристики транзистора 2Т938А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 1,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 2000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 28 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,18 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2 пс
