2Т937А-2
Транзисторы 2Т937Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 0,9...5 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т937А-2, 2Т937Б-2, КТ937А-2, КТ937Б-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
   - 2Т937А-2 - зеленая точка и буква «А»,
   - 2Т937Б-2 - белая точка и буква «Б»,
   - КТ937А-2 - две зеленые точки и буква «А»,
   - КТ937Б-2 - две белые точки и буква «Б».
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: аА0.339.079ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т937Б-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7,4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 6500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,45 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (25В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3,2 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс