2Т919В
Транзисторы 2Т919В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Выпускаются:
- 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами,
- 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2 бескорпусные, с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Условное обозначение транзисторов:
- 2Т919А - буква «А» и зеленая точка,
- 2Т919Б - буква «Б» и черная точка,
- 2Т919В - буква «В» и белая точка,
- 2Т919А-2 - черная точка,
- 2Т919Б-2 - красная точка,
- 2Т919В-2 - белая точка.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов:
- 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В не более 2 г,
- 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2 не более 1 г,
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: ЖК3.365.249 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т919В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,2 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс
Транзисторы 2Т919В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Выпускаются:
- 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами,
- 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2 бескорпусные, с гибкими выводами на кристаллодержателе.
Условное обозначение транзисторов:
- 2Т919А - буква «А» и зеленая точка,
- 2Т919Б - буква «Б» и черная точка,
- 2Т919В - буква «В» и белая точка,
- 2Т919А-2 - черная точка,
- 2Т919Б-2 - красная точка,
- 2Т919В-2 - белая точка.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов:
- 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В не более 2 г,
- 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2 не более 1 г,
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: ЖК3.365.249 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т919В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,2 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс
