2Т909Б
Транзисторы 2Т909Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...500 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Тип корпуса: КТ-15.
Технические условия: И93.365.018 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т909Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 54 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 мА (60В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 35 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас - Время рассасывания: не более 20 нс