2Т888А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т888А, 2Т888Б предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.782ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т888А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 15 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (900В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 50 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 3 мкс