2Т847А
Транзисторы 2Т847А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.361 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т847А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 15 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 650 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (650В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8...25;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,1 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2000 нс
Транзисторы 2Т847А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.361 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т847А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 15 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 650 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (650В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8...25;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,1 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 2000 нс
