2Т839А
Транзисторы 2Т839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.224 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т839А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,375 Ом
Транзисторы 2Т839А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в высоковольтных переключающих устройствах и источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.224 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т839А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 5;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,375 Ом
