2Т834Б
Транзисторы 2Т834Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.209 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т834Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 450 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (450В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 3000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом