2Т819Б
Транзисторы 2Т819Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9.
Технические условия: аА0.336.142 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т819Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом