159НТ101ЕС1 ВК
Микросхемы 159НТ101ЕС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпус типа 3101.8-8.01, масса не более 1,3 г.
Технические условия: АЕЯР.431410.455ТУ.
Функциональным аналогом является микросхема 2N4042.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Микросхемы 159НТ101ЕС1 ВК представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Корпус типа 3101.8-8.01, масса не более 1,3 г.
Технические условия: АЕЯР.431410.455ТУ.
Функциональным аналогом является микросхема 2N4042.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
