2Т709А
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзисторы 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2 выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 9 г, в пластмассовом корпусе не более 2,5 г.
Тип корпуса транзисторов 2Т709А, 2Т709Б, 2Т709В: КТ-8 (ТО-66).
Технические условия: аА0.339.144 ТУ.
Тип корпуса транзисторов 2Т709А2, 2Т709Б2, 2Т709В2: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.339.628 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т709А:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 100 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 500