2Т653Б
Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях.
Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.307 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т653Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80...250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях.
Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,005 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.307 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т653Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80...250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
