2Т648А-2
Транзисторы 2Т648А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот 1...12 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т648А-2, КТ648А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
- 2Т648А-2 - две черные точки,
- КТ648А-2 - знак ««» черного цвета.
Транзисторы 2Т648А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.266ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т648А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 420 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,04 Вт на частоте 12 ГГц
Транзисторы 2Т648А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот 1...12 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т648А-2, КТ648А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
- 2Т648А-2 - две черные точки,
- КТ648А-2 - знак ««» черного цвета.
Транзисторы 2Т648А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.266ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т648А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 420 мВт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,04 Вт на частоте 12 ГГц
