2Т640А-2
Транзисторы 2Т640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т640А-2, 2Т640А1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
- 2Т640А-2 - черная точка,
- 2Т640А1-2 - черный знак «Т».
Транзистор 2Т640А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзистор 2Т640А-6 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками на кристаллодержателе и без выводов, маркируется черной точкой.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора:
- бескорпусного не более 0,2 г,
- кристалла не более 0,0002 г,
- кристалла на кристаллодержателе не более 0,008 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.047 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т640А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,6 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (25В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 7 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
Транзисторы 2Т640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т640А-2, 2Т640А1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
- 2Т640А-2 - черная точка,
- 2Т640А1-2 - черный знак «Т».
Транзистор 2Т640А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзистор 2Т640А-6 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками на кристаллодержателе и без выводов, маркируется черной точкой.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора:
- бескорпусного не более 0,2 г,
- кристалла не более 0,0002 г,
- кристалла на кристаллодержателе не более 0,008 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.047 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т640А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,6 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (25В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 7 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
