2Т610Б
Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Технические условия: Я53.365.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т610Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс