2Т505Б
Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,003 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.174 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т505Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 140;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом
Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.
Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т505А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,003 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.174 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т505Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 250 В (0,1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 140;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом
