2Т399А
Транзисторы 2Т399А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Транзисторы 2Т399А, КТ399А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: СБ3.336.066 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т399А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,7 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс
Транзисторы 2Т399А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.
Транзисторы 2Т399А, КТ399А выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: СБ3.336.066 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т399А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц;
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,7 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 400 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс
