2Т385АМ-2
Транзисторы 2Т385АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на керамическом (2Т385А-2, КТ385А - вариант 1) и металлическом (2Т385АМ-2, КТ385АМ - вариант 2) кристаллодержателях.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из нее транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г.
Технические условия: Я53.365.022-02ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т385АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
Транзисторы 2Т385АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на керамическом (2Т385А-2, КТ385А - вариант 1) и металлическом (2Т385АМ-2, КТ385АМ - вариант 2) кристаллодержателях.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из нее транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г.
Технические условия: Я53.365.022-02ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т385АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
