2Т370А-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частоты, а также переключающих устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ370Б-1 бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на основании индивидуальной тары.
Транзисторы 2Т370А9, 2Т370Б9, КТ370А9, КТ370Б9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,005 г, в пластмассовом корпусе не более 0,1 г.
Технические условия: ЩТ3.336.059 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т370А-1:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 15 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частоты, а также переключающих устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т370А-1, 2Т370Б-1, КТ370А-1, КТ370Б-1 бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на основании индивидуальной тары.
Транзисторы 2Т370А9, 2Т370Б9, КТ370А9, КТ370Б9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,005 г, в пластмассовом корпусе не более 0,1 г.
Технические условия: ЩТ3.336.059 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т370А-1:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 15 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс
