2Т354Б-2
Транзисторы 2Т354Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,003 г.
Технические условия: СБ0.336.038 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т354Б-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 90...360;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс