2Т3101А-2
Транзисторы 2Т3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,04 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: СБ3.336.064 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3101А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
Транзисторы 2Т3101А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 1 и 2,25 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и приклеиваемой компаундом керамической крышкой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,04 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: СБ3.336.064 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3101А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 35...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 2,25 ГГц
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
