2Т117В
Транзисторы 2Т117В кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа.
Транзисторы 2Т117А, 2Т117Б, 2Т117В, 2Т117Г предназначены для применения в маломощных генераторах.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и этикетке.
Масса транзистора не более 0,45 г.
Тип корпуса: КТ1-7.
Технические условия: ТТ3.365.000 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т117В:
• Структура транзистора: n-база
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,5... 0,7