КТ3123БМ
Транзисторы КТ3123БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-29.
Технические условия: аА0.336.415 ТУ.
Транзисторы КТ3123БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы КТ3123АМ, КТ3123БМ, КТ3123ВМ выпускаются в металлокерамическом корпусе.
Масса транзисторов не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-29.
Технические условия: аА0.336.415 ТУ.