1Т906А
Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т906А, ГТ906А и металлопластмассовом ГТ906АМ корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т906А, ГТ906А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ906АМ не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.011 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т906А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс
Транзисторы 1Т906А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, переключающих и импульсных усилительных каскадах радиоэлектронных устройств.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т906А, ГТ906А и металлопластмассовом ГТ906АМ корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т906А, ГТ906А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ906АМ не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.011 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т906А:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...150;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс
