1Т905А
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т905А и металлопластмассовом ГТ905А, ГТ905Б корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т905А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ905А, ГТ905Б не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.011 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т905А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс
Транзисторы 1Т905А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных усилительных устройствах, в выходных каскадах усилителей мощности низкой частоты.
Выпускаются в металлическом со стеклянными изоляторами 1Т905А и металлопластмассовом ГТ905А, ГТ905Б корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов 1Т905А не более 4,5 г (с крепежным фланцем не более 6 г), ГТ905А, ГТ905Б не более 7 г.
Технические условия: СА3.365.011 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т905А:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 6 Вт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 30 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 35...100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,17 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс
