1Т806В
Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 1Т806А, 1Т806Б, 1Т806В предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 28 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Технические условия: ЮФ3.365.009 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т806В:
• Структура: p-n-p
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом