1Т612А-4
Транзисторы 1Т612А-4 германиевые планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для усиления и генерирования сигналов сверхвысоких частот в схеме с общей базой.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с металлизированными контактами выступами и покрытым эмалью кристаллом.
Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике. Тип прибора указывается на таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.

Основные технические характеристики транзистора 1Т612А-4:
• Структура: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 570 мВт;
• fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1500 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,2 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3,5 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менне 0,2 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 7 пс