2П979В
Транзистор 2П979В кремниевый полевой  n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен  для использования в усилителях мощности на частотах до 230 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-82.
Технические условия: АЕЯР.432150.249 ТУ.
Функциональный аналог: MRF151G (M/A Com), VRF151G (Microsemi), BLF278 (Philips), D5028UK (Semelab), SD2932 (STM).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 300 Вт;
- Напряжение питания UСИ = 50 В;
- Рабочая частота f = 230 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥30;
- КПД стока ηС≥50%.