2П826АС
Транзистор 2П826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-102-1.
Технические условия: АЕЯР.432150.367ТУ.
Функциональный аналог: MRF154, MRF157 (M/A Com), VRF157 (Microsemi).
Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 600 Вт;
- Напряжение питания UСИ = 50 В;
- Рабочая частота f = 30 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥25;
- КПД стока ηС≥50%.
Транзистор 2П826АС кремниевый полевой n-канальный с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 80 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-102-1.
Технические условия: АЕЯР.432150.367ТУ.
Функциональный аналог: MRF154, MRF157 (M/A Com), VRF157 (Microsemi).
Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ = 600 Вт;
- Напряжение питания UСИ = 50 В;
- Рабочая частота f = 30 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥25;
- КПД стока ηС≥50%.