2П308Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1 бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
Технические условия: АЕЯР.432140.526 ТУ.
Транзисторы 2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9, 2П308Е9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.618 ТУ.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П308А-1, 2П308Б-1, 2П308В-1, 2П308Г-1, 2П308Д-1 бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,005 г.
Технические условия: АЕЯР.432140.526 ТУ.
Транзисторы 2П308А9, 2П308Б9, 2П308В9, 2П308Г9, 2П308Д9, 2П308Е9 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.618 ТУ.
