3П930В-2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10 г.
• Технические условия: аА0.339.735 ТУ.