3П324Б-2
Транзисторы 3П324Б-2 полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шоттки с каналом n-типа усилительные.
Транзисторы 3П324А-2, 3П324Б-2 предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 .
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.265 ТУ.
Транзисторы 3П324Б-2 полевые арсенидгаллиевые с затвором в виде барьера Шоттки с каналом n-типа усилительные.
Транзисторы 3П324А-2, 3П324Б-2 предназначены для применения в малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках на частотах до 12 ГГц.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 .
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.265 ТУ.