2П202Е-1
Транзистор 2П202Е-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий.
Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Технические условия: ТФ0.336.010ТУ/Д3.
Транзистор 2П202Е-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий.
Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Технические условия: ТФ0.336.010ТУ/Д3.