КП777А
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
Транзисторы КП777А, КП777Б, КП777В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220)..
Технические условия: АДБК.432150.805 ТУ.
Прототипы: IRF840, IRF841, IRF842.
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
Транзисторы КП777А, КП777Б, КП777В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220)..
Технические условия: АДБК.432150.805 ТУ.
Прототипы: IRF840, IRF841, IRF842.