КП307Г1
Транзисторы КП307Г1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: аА0.336.046 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КП307Г-1:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 27 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
• S - Крутизна характеристики: 6... 12 мА/В (10В)