3П330В-2
Транзисторы 3П330В-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 25 и 17,4 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2, АП330А-2, АП330Б-2, АП330В-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой.
На крышке наносится условная маркировка:
- на 3П330Б-2 - белая точка,
- на 3П330В-2 - черная точка,
- на 3П330А-2 - точка не наносится.
Транзистор 3П330А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,15 г, кристалла не более 0,0002 г.
• Технические условия: аА0.339.485 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 3П330В-2:
• Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 30 мВт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 3 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 6 В;
• S - Крутизна характеристики: более 5 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 6 дБ на частоте 25 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3,5 дБ на частоте 25 ГГц