3П608А-5
Транзисторы 3П608А-5 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 45,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608Г-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы 3П608А-5, 3П608Д-5, 3П608Е-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Технические условия: аА0.339.784 ТУ.
Транзисторы 3П608А-5 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шотки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 45,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608Г-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы 3П608А-5, 3П608Д-5, 3П608Е-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Технические условия: аА0.339.784 ТУ.
