3П325А-2
Транзисторы 3П325А-2 полевые арсенидгаллиевые с каналом n-типа и барьером Шотки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П325А-2, АП325А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой.
На крышке наносится условная маркировка:
   - 3П325А-2 - черная полоска,
   - АП325А-2 - черная полоска с черной точкой над ней.
Транзистор 3П325А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается а этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кристалла не более 0,0002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Технические условия: аА0.339.355 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 3П325А-2:
• Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 25 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 4 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 2,5 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 3,5 В;
• S - Крутизна характеристики: более 8 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 5 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 8 ГГц