2П909В
Транзисторы 2П909В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах.
Транзистор 2П909В предназначен для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Технические условия: аА0.339.244 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2П909В:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и  индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 40 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 5 А;
• S - Крутизна характеристики: 350... 1000 мА/В;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ