2П341А
Транзисторы 2П341А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей.
Корпус металлокерамический с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,08 г.
Тип корпуса: КТ-23 .
Технические условия: аА0.339.789 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2П341А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА;
• S - Крутизна характеристики: 15... 30 мА/В (5В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: 1,6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,8 дБ на частоте 400 МГц.
Транзисторы 2П341А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором в виде p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей.
Корпус металлокерамический с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,08 г.
Тип корпуса: КТ-23 .
Технические условия: аА0.339.789 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2П341А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА;
• S - Крутизна характеристики: 15... 30 мА/В (5В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: 1,6 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,8 дБ на частоте 400 МГц.