2П998БС
Транзисторная сборка 2П998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Технические условия: АЕЯР.432150.541 ТУ.
Функциональный аналог: lb401 (Polyfet); lr401 (Polyfet).
Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 4,7 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ -150 Вт;
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 15 дБ (мин);
- КПД стока ηС – 60 % (мин)
Транзисторная сборка 2П998БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии.
Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Технические условия: АЕЯР.432150.541 ТУ.
Функциональный аналог: lb401 (Polyfet); lr401 (Polyfet).
Основные RF характеристики:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 4,7 Вт, tk ≤ 40 °С)
- Выходная мощность РВЫХ -150 Вт;
- Коэффициент усиления по мощности КУР – 15 дБ (мин);
- КПД стока ηС – 60 % (мин)