2Т693АС
Сборки 2Т693АС из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 1.5 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц.
Тип корпуса: 401.14-5M.
Технические условия: АЕЯР.432140.064ТУ.